中国电科“第三代（宽禁带）半导体电子材料和器件基础研究”项目获2009年国防科技进步一等奖

    第三代（宽禁带）半导体电子材料和器件是21世纪微电子技术的重要发展方向。 
    由中国电子科技集团公司组织，13、46和55研究所为主要研究单位，联合北大、西电等高校和中科院半导体所、微电子所共同开展“第三代（宽禁带）半导体电子材料和器件基础研究”工作。在技术首席赵正平的领导下，对材料、器件等一系列基础问题进行了深入系统探索，发展了宽禁带半导体的能带工程、极化工程、压电工程，建立了电流崩塌的电学模型，设计了器件新结构，实现了单晶、外延材料和器件研制的自主创新，取得与国际研究同步的创新性成果，使我国半导体技术进入了第三代（宽禁带）发展阶段。 
    经过国家国防科工局的评选，该项目获2009年度国防科技进步一等奖。