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“环形闭合磁场”磁控溅射技术已获得专利。
相对于同样尺寸的热蒸发镀膜机,CFM的产能是他们的3-4倍。
CFM溅射工艺中的材料氧化发生在溅射靶的周围,同时在装基片的整个区域内都进行氧化反应,从而使氧
化非常充分、吸收最小。
CFM溅射工艺不需要独立的离子源或等离子源作为其氧化辅助装置。
由于CFM能够形成“低能量高密度”的等离子体,使得膜层的应力最小。
完全的低温溅射工艺为塑料基底镀膜找到了最佳的解决方案。
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